中證網(wǎng)訊（記者 黃一靈）7月12日，上交所受理拓荊科技股份有限公司（以下簡稱“ 拓荊科技”）的科創(chuàng)板IPO申請。

　　招股書顯示，拓荊科技主要從事高端半導體專用設備的研發(fā)、生產(chǎn)、銷售和技術服務，公司聚焦的半導體薄膜沉積設備與光刻機、刻蝕機共同構成芯片制造三大核心設備。公司主要產(chǎn)品包括等離子體增強化學氣相沉積（PECVD）設備、原子層沉積（ALD）設備和次常壓化學氣相沉積（SACVD）設備三個產(chǎn)品系列，已廣泛應用于國內(nèi)晶圓廠14nm及以上制程集成電路制造產(chǎn)線，并已展開10nm及以下制程產(chǎn)品驗證測試。

　　公司擬募集資金金額為10億元，將投資高端半導體設備擴產(chǎn)項目、先進半導體設備技術研發(fā)與改進項目、ALD設備研發(fā)和產(chǎn)業(yè)化項目以及補充流動資金。